Xem Tài liệu GTO (GATE TURN OFF THYRISTOR ) pptx – Tài liệu text 2024
Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay phiên phiên phiên phiên phiên bản đầy đủ của tài liệu sau này (250.76 KB, 12 trang )
Bạn đang đọc: Tài liệu GTO (GATE TURN OFF THYRISTOR ) pptx – Tài liệu text
Điện tử công năng 1
1.8 GTO (GATE TURN OFF THYRISTOR )
GTO có cấu tạo gồm bốn lớp pnpn tương tự với thyristor thường thì (SCR)-
hình H1.26a, với các chức năng tương tự của thyristor với điểm biệt lập là có thể điều
khiển ngắt dòng điện qua nó. Mạch tương đồng GTO được vẽ trên hình H1.26b có
1-24
Điện tử công năng 1
cấu tạo tương tự mạch mô tả SCR nhưng có thêm cổng kích ngắt bận bịu song tuy nhiên
cổng kích đóng. Ký hiệu linh kiện GTO vẽ trên hình H1.26c. cấu tạo thực tế (loại
GTO đối xứng) vẽ trên hình H1.26d.
GTO được kích đóng bằng xung dòng điện tương tự như khi kích đóng
thyristor thông thường. Dòng điện kích đóng được tăng đến giá trò I
GM
và sau đó giảm
xuống đến giá trò I
G
. Điểm khác lạ đối với nhu yếu xung kích đóng SCR được coi là dòng
kích i
G
phải liên tiếp duy trì suốt trong quãng thời gian GTO dẫn điện.
Để kích ngắt GTO, xung dòng điện âm lớn được đưa vào cổng G – cathode
với độ dốc (di
GQ
/dt) to hơn giá trò qui đònh của linh kiện, nó đẩy các hạt đưa theoện
khỏi cathode, tức ra khỏi emitter của transistor pnp và transistor npn sẽ không còn thể
hoạt động và hoạt động ở chế độ tái sinh. sau khi transistor npn tắt, transistor pnp còn sót lại sẽ hoạt
động với cổng kích đóng ở trạng thái mở và linh kiện trở về trạng thái không dẫn
điện. dẫu thế, dòng điện nhu yếu mạch cổng G để tắt GTO có giá trò khá lớn. Trong
khi xung dòng điện cần đưa vào cổng để kích đóng GTO chỉ việc đạt giá trò khoảng
3-5%, tức khoảng 30A với độ rộng xung 10
µ
s đối với loại linh kiện có dòng đònh mức
1000A thì xung dòng điện kích cổng để ngắt GTO cần đạt đến khoảng 30-50%, tức
khoảng 300A với độ rộng xung khoảng 20-50
µ
s. Mạch cổng phải thiết kế có khả
năng tạo xung dòng kích tối thiểu đạt các giá trò nhu yếu trên (I
GQM
). Điện áp cung
cấp mạch cổng để tạo xung dòng lớn vừa nêu thường có giá trò thấp, khoảng 10-20V
với độ rộng xung khoảng 20-50
µ
s, năng lực tiêu tốn cho việc triển khai kích ngắt
GTO không cao. Qúa trình điện áp và dòng điện mạch anode và mạch cổng khi kích
1-25
Điện tử công năng 1
đóng GTO và kích ngắt nó được mô tả trên hình H1.27c,d. năng lực kích ngắt
GTO nhiều gấp 10-20 lần năng lực cần cho qúa trình kích đóng GTO. Điểm bất
lợi về mạch kích ngắt là một trong những các số trong điểm yếu của GTO khi đối chiếu nó với IGBT. Hệ quả
là thời gian ngắt dòng điện kéo dài, phiên bạn dạng lĩnh chòu di/dt, dv/dt kém, mạch bảo vệ khi
kích đóng và kích ngắt làm tăng chi phí lắp đặt cũng như làm công năng hổn hao tăng
lên. Do bạn dạng lĩnh kích ngắt chậm nên GTO được sử dụng trong số bộ nghòch lưu
điều chế độ rộng xung (PWM) với tần số đóng ngắt thấp. dẫu thế, điều này chấp
nhận được trong các ứng dụng công năng lớn. Mạch điều khiển kích ngắt GTO có giá
thành tương đương giá cả linh kiện.
Độ sụt áp của GTO khi dẫn điện cao hơn khoảng 50% đối với thyristor nhưng
thấp hơn 50% đối với IGBT với cùng đònh mức. GTO có phiên bản lĩnh chòu tải công năng
to hơn IGBT và được ứng dụng trong số thiết bò điều khiển khối khối hệ thống lưới điện
(FACTS Controller) đến công năng vài trăm MW.
GTO được chia làm hai loại – loại chất nhận được chòu áp ngược (symmetrical), và
loại “nối tắt anode” (anode short GTO thyristor) chỉ có bản lĩnh khoá áp thuận trò số
lớn. Loại đầu tiên có cấu tạo giống như SCR, có bản lĩnh chòu được áp khóa và áp
ngược với giá trò lớn gần như nhau. Lọai thứ hai- GTO có anode nối tắt, có 1 phần
lớp J
1
bò nối tắt nhờ lớp n+ (H.26e). Do đó, bản lĩnh khóa áp ngược của lọai GTO
này kém, bằng bản lĩnh chòu áp ngược của lớp J
3
(khoảng dưới 15V). tuy vậy, bù
lại, cấu trúc của nó chất nhận được đạt được bản lĩnh chòu áp khóa và dòng điện lớn cũng
như bản lĩnh giảm sụt áp khi dẫn điện và nó phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi tần
số đóng ngắt lớn nhưng không cần kĩ năng chòu áp ngược cao (chẳng hạn các bộ
nghòch lưu áp). Để tăng mạnh hiệu quả sử dụng, các GTO còn được chế tạo với
diode ngược phối hợp trong linh kiện (reverse conducting GTO Thyristor hoặc
asymmetric GTO). kết cấu linh kiện gồm phần GTO có anode đối xứng và phần gọi
là diode phục hồi nhanh (fast recovery diode) – xem hình H1.26f, được được được cho phép linh kiện
dẫn dòng điện ngược mà đã không cần lắp đặt diode ngược ở ngòai linh kiện, làm giảm
form kích cỡ và cân nặng mạch điện sử dụng GTO
Mạch bảo vệ
linh kiện GTO rất rất cần được có mạch bảo vệ. các bước ngắt GTO đòi hỏi sử dụng
xung dòng kích đủ rộng. Điều này dẫn đến thời gian ngắt dài, khả năng di/dt và dv/dt
của GTO thấp. Vì thế, rất cần phải giới hạn các trò số vận động không vượt quá giá trò an
bài viết liên quan: Bảng giá
toàn trong số công việc ngắt GTO. H1.28 vẽ mạch bảo vệ GTO trong các việc ngắt. Tụ
điện C dùng để bảo vệ GTO trong các việc kích ngắt phải có giá trò điện dung lớn
hơn giá trò qui đònh của nhà chế tạo, đạt đến độ lớn khoảng vài
µ
F. ở bên cạnh đó, GTO
đòi hỏi mạch bảo vệ chống hiện tượng tăng mạnh dòng điện khi đóng.
Diode của mạch bảo vệ phải có hiệu quả chòu gai dòng lớn bởi vì trong quá
trình sẽ có mặt dòng có biên độ lớn qua diode và tụ điện. Điện trở mạch bảo vệ có
trò số nhỏ và đảm bảo tụ xả điện hoàn toàn trong vòng thời gian đóng ngắn nhất
của GTO khi quản lý và quản lý. Khi GTO đóng, năng lực tích trữ trên tụ sẽ phải tiêu tán hết
trên điện trở này. Vì thế, giá trò đònh mức công năng của điện trở không hề nhỏ.
Mỗi GTO có 1 giá trò dòng được điều khiển cực đại mà nếu vượt quá thì
không thể ngắt nó bằng xung dòng ngược ở cổng Gate. Nếu trong quá trình quản lý
bộ biến đổi công năng sử dụng GTO như linh phụ kiện đóng ngắt, sự cố có thể xảy ra (ví
1-26
Điện tử công suất 1
dụ như ngắn mạch) gây nên hiện tượng quá dòng, hệ thống bảo vệ phải được thiết kế
để nhận biết sự cố và ngắt GTO để bảo vệ linh phụ kiện. Nếu như giá trò dòng qua GTO
khi sự cố xảy ra thấp hơn trò số dòng cực đại thì có thể ngắt GTO bằng xung dòng
cổng âm điều khiển với biên độ phù hợp. Nhưng nếu giá trò dòng sự cố vượt quá giá
trò bảo vệ bằng xung dòng âm, cần sử dụng mạch “bảo vệ kiểu đòn bẩy“ (gồm khóa
công suất bận rộn song song với linh phụ kiện GTO). Nguyên lý buổi giao lưu của mạch bảo vệ
là tạo ngắn mạch nguồn cấp điện cho GTO bằng giải pháp kích đóng một SCR mắc tuy nhiên
mặc dù thế với linh phụ kiện GTO. Dòng ngắn mạch làm chảy cầu chì và cắt linh phụ kiện GTO khỏi
nguồn. Điều đó được minh chúng taa trên H1.29.
một trong các các các các các năm vừa vừa mới đây, GTO biến thành linh phụ kiện đóng ngắt đươc sử dụng
thoáng rộng cho các mạch công suất lớn: một GTO loại “nối tắt anode” có giá trò đònh
mức áp khoảng 4500V và đònh mức dòng 6000A. Các giá trò tương ứng của loại GTO
chất nhận được dẫn dòng ngược là 4500V và 3000A (Mitsubishi 1998). Điện áp đặt trên
GTO khi dẫn điện thường cao hơn SCR (2-3V). Tốc độ đóng ngắt từ vài µs đến 25µs.
Tần số đóng ngắt khoảng 100Hz đến 10kHz.
linh phụ kiện công suất sẽ trở nên chất lượng cao nếu cho độ sụt áp thấp khi dẫn
điện (như thyristor), yêu cầu mạch điều khiển đơn giản và kĩ năng ngắt dòng nhanh
(như IGBT). bây giờ, một số linh phụ kiện như thế đã mở ra trên thò trường vàù chúng
có ích lợi thay thế dần GTO. Chúng có thể xem là các dạng đổi mới của GTO,
chế tạo theo nguyên lý khối phối kết hợp (Power Electronics Building Block- PEBB) nhằm mục đích
giảm sút các yêu cầu về mạch kích và làm tăng kiến thức ngắt nhanh. Các linh phụ kiện
này gồm MTO (MOS Turn-Off Thyristor), ETO (Emitter Turn-Off Thyristor) và IGCT
(Integrated Gate-Commutated Thyristor).
Bảng B1.7: Các thông số căn bản của GTO FG1000BV-90DA (Mitsubishi)
Thông số Độ lớn Ghi chú
V
DRM
4.500V Điện áp khóa đỉnh lập lại tuần hoàn cực đại (Repetitive peak off state
voltae)
I
T(AV)
400A Dòng trung bình (f=60Hz dạng sin, góc dẫn 180
0
)
di/dt max 1000A/
sµ
Tốc độ tăng dòng khi đóng cực lớn
I
TQRM
1000A
Giá trò dòng thuận cực đại mà linh phụ kiện có thể điều khiển ngắt được
(mạch bảo vệ C
s
=0,7
µ
F,L
s
=0,3
µ
H). linh phụ kiện có thể bò hỏng nếu nó
thực hiện kích ngắt dòng điện lớn hơn I
TQRM
V
RRM
17V Điện áp ngược đỉnh cực đại chất nhận được
V
TM
Max. 4V Điện áp thuận cực to
1-27
Điện tử công suất 1
I
RRM
Max. 100mA Dòng ngược cực đại (tương ứng ới V
RRM
)
I
DRM
tham khảo thêm: linh phụ kiện máy tính xách tay xách tay Cũ, linh phụ kiện PC Cũ – Tin bọn bọn chúng tac Anh Phát
Max. 100mA Dòng thuận cực đại ở trạng thái khóa.
t
gt
Max. 10 s
µ
thời gian trễ khi đóng
t
gq
Max. 20 s
µ
Thời gian trễ khi ngắt.
I
GQM
300A Dòng kích ngắt qua cổng G
V
GT
Max. 1,5V Điện áp cổng khi kích đóng
I
GT
Max.
2500mA
Dòng điện cổng khi kích đóng
1.9 IGCT (INTEGRATED GATE COMMUTATED THYRISTOR)
kết cấu và chức năng:
Sự cải cách công nghệ chế tạo GTO thyristor đã dẫn đến ý tưởng công
nghệ IGCT.
GCT –Gate –Commutated Thyristor là một trong trong mỗi dạng trở nên tân tiến của GTO với khả
năng kéo xung dòng điện lớn bằng dòng đònh mức dẫn qua cathode về mạch cổng
trong 1
để đảm bảo ngắt nhanh dòng điện. kết cấu của GCT và mạch tương
đương của nó giống như của GTO.
sµ
IGCT là linh phụ kiện gồm GCT và có thêm một số phần tử hỗ trợ, bao gồm cả
board mạch điều khiển và có thể gồm cả diode ngược.
Để kích đóng GCT, xung dòng điện được đưa vào cổng kích làm đóng GCT
tương tự như tình huống GTO.
Để kích ngắt GCT, mối nối pn base-emitter được phân cực ngược bằng
cách cung cấp điện áp nguồn ngược chiều. Điều này làm triệt tiêu dòng điện qua
cathode vì toàn bộ dòng điện đi qua cathode sẽ được đẩy sang mạch cổng với tốc độ
rất nhanh và biến GCT biến thành một transistor pnp.
Để có thể tạo dòng điện qua mạch cổng đẩy mạnh và đủ lớn, GCT (IGCT)
được chế tạo đặc biệt để giảm cảm kháng mạch cổng (mạch vòng cổng điều khiển –
cathode) đến giá trò nhỏ nhất.
Vấn đề mấu chốt của GCT là tạo kĩ năng tăng mạnh dòng điện qua cổng.
Điều này đạt được bằng ống dẫn điện đồng trục qua mạch cổng- cathode và công
nghệ mạch điều khiển nhiều lớp (multilayer). Chúng được cho phép dòng cổng tăng với
tốc độ 4kA/
khi điện thế cổng- cathode ở mức 20V. trong vòng thời gian 1,
transistor npn của GTO bò ngắt hoàn toàn và cực cổng của transistor pnp sót lại bò
mở làm GCT bò ngắt. Do việc ngắt thực hiện bằng xung dòng rất ngắn nên công suất
tổn hao mạch cổng được giảm đến mức tối thiểu. Công suất tiêu thụ của GCT giảm
đi khoảng 5 lần đối với tình huống GTO.
sµ sµ
Lớp p phía anode được làm mỏng và làm giàu hạt đưa điện chút ít để cho
phép khử các hạt đưa theoện phía anode nhanh hơn trong quá trình ngắt. IGCT có thể
phối hợp diode ngược bằng mối nối n
+
n
–
p được vẽ bên phải của hình H1.30. Diode
ngược cần thiết trong kết cấu của rất nhiều bộ nghòch lưu áp.
quá trình ngắt dòng điện của GCT bởi hiệu quả xung dòng kích cổng được
vẽ minh họa trên hình H1.32. Để có thể đối chiếu với quy trình ngắt dòng của GTO, đồ
thò của dòng cổng được vẽ cho hai tình huống.
khả năng chòu tải
1-28
/ dt ) lớn hơn giá trò qui đònh của linh phụ kiện, nó đẩy các hạt đưa điệnkhỏi cathode, tức ra khỏi emitter của transistor pnp và transistor npn sẽ không hềchuyển động ở chế độ tái sinh. Sau khi transistor npn tắt, transistor pnp còn lại sẽ hoạtđộng với cổng kích đóng ở trạng thái mở và linh phụ kiện quay quay về trạng thái không dẫnđiện. thế nhưng, dòng điện nhu cầu mạch cổng G để tắt GTO có giá trò khá lớn. Trongkhi xung dòng điện cần đưa vào cổng để kích đóng GTO chỉ cần đạt giá trò khoảng3-5 %, tức khoảng chừng 30A với độ rộng xung 10 s đối với loại linh kiện có dòng đònh mức1000A thì xung dòng điện kích cổng để ngắt GTO cần đạt đến khoảng chừng 30-50 %, tứckhoảng 300A với độ rộng xung khoảng chừng 20-50 s. Mạch cổng phải phong cách thiết kế có khảnăng tạo xung dòng kích tối thiểu đạt các giá trò nhu yếu trên ( IGQM ). Điện áp cungcấp mạch cổng để tạo xung dòng lớn vừa nêu thường có giá trò thấp, khoảng chừng 10-20 Vvới độ rộng xung khoảng chừng 20-50 s, nguồn năng lực tiêu tốn cho việc triển khai kích ngắtGTO không cao. Qúa trình điện áp và dòng điện mạch anode và mạch cổng khi kích1-25Điện tử hiệu suất 1 đóng GTO và kích ngắt nó được miêu tả trên hình H1. 27 c, d. chiến lực kích ngắtGTO nhiều gấp 10-20 lần nguồn tích điện cần cho qúa trình kích đóng GTO. Điểm bấtlợi về mạch kích ngắt là 1 trong điểm yếu kém của GTO khi so sánh nó với IGBT. Hệ quảlà thời gian ngắt dòng điện lê dài, khả năng chòu di / dt, dv / dt kém, mạch bảo vệ khikích đóng và kích ngắt làm tăng giá cả lắp ráp cũng như làm hiệu suất hổn hao tănglên. Do kỹ năng kích ngắt chậm nên GTO được sử dụng giữa các bộ nghòch lưuđiều chế độ rộng xung ( PWM ) với tần số đóng ngắt thấp. mặc dù thế, điều này chấpnhận được giữa những ứng dụng hiệu suất lớn. Mạch điều khiển và điều khiển và điều khiển kích ngắt GTO có giáthành tương tự giá tiền linh kiện. Độ sụt áp của GTO khi dẫn điện cao hơn khoảng chừng 50 % so với thyristor nhưngthấp hơn 50 % so với IGBT với cùng đònh mức. GTO có kỹ năng chòu tải công suấtlớn hơn IGBT và được ứng dụng trong những thiết bò điều khiển và điều khiển và điều khiển và điều khiển và điều khiển và điều khiển mạng lưới hệ thống lưới điện ( FACTS Controller ) đến hiệu suất vài trăm MW.GTO được chia làm hai loại – loại được cho phép chòu áp ngược ( symmetrical ), vàloại “ nối tắt anode ” ( anode short GTO thyristor ) chỉ có khả năng khoá áp thuận trò sốlớn. Loại thứ nhất có cấu trúc giống như SCR, có kĩ năng chòu được áp khóa và ápngược với giá trò lớn gần như nhau. Lọai thứ hai – GTO có anode nối tắt, có 1 phầnlớp Jbò nối tắt nhờ lớp n + ( H. 26 e ). Do đó, tài năng khóa áp ngược của lọai GTOnày kém, bằng kĩ năng chòu áp ngược của lớp J ( khoảng chừng dưới 15V ). mặc dù, bùlại, cấu trúc của nó được cho phép đạt được tích điện chòu áp khóa và dòng điện lớn cũngnhư năng lượng giảm sụt áp khi dẫn điện và nó thích hợp cho những ứng dụng đòi hỏi tầnsố đóng ngắt lớn nhưng không cần năng lượng chòu áp ngược cao ( ví dụ điển hình những bộnghòch lưu áp ). Để bức tốc hiệu quả sử dụng, những GTO còn được chế tạo vớidiode ngược phối hợp trong linh kiện ( reverse conducting GTO Thyristor hoặcasymmetric GTO ). cấu tạo linh kiện gồm phần GTO có anode đối xứng và phần gọilà diode hồi sinh nhanh ( fast recovery diode ) – xem hình H1. 26 f, được cho phép linh kiệndẫn dòng điện ngược mà không cần lắp ráp diode ngược ở ngòai linh kiện, làm giảmkích thước và cân nặng mạch điện sử dụng GTOMạch đảm bảo an toànLinh kiện GTO cần phải có mạch bảo vệ. quy trình ngắt GTO đòi hỏi sử dụngxung dòng kích đủ rộng. Điều này dẫn đến thời gian ngắt dài, năng lượng di / dt và dv / dtcủa GTO thấp. Vì thế, cần phải con số giới hạn những trò số hoạt động giải trí không vượt quá giá trò antoàn trong công đoạn ngắt GTO. H1. 28 vẽ mạch bảo vệ GTO trong quy trình ngắt. Tụđiện C dùng để bảo vệ GTO trong quy trình kích ngắt phải có giá trò điện dung lớnhơ bẩnn giá trò qui đònh của đơn vị chế tạo, đạt đến độ lớn khoảng chừng vàiF. Dường như, GTOyên cầu mạch bảo vệ chống hiện tượng kỳ lạ tăng mạnh dòng điện khi đóng. Diode của mạch bảo vệ phải có năng lực chòu gai dòng lớn chính do trong quátrình sẽ xuất hiện dòng có biên độ lớn qua diode và tụ điện. Điện trở mạch bảo vệ cótrò số nhỏ và bảo vệ tụ xả điện toàn vẹn trong khoảng chừng thời gian đóng ngắn nhấtcủa GTO khi quản lý. Khi GTO đóng, nguồn năng lượng tích trữ trên tụ sẽ phải tiêu tán hếttrên điện trở này. Vì thế, giá trò đònh mức hiệu suất của điện trở khá cao. Mỗi GTO có một giá trò dòng được điều khiển và tinh chỉnh cực đại mà nếu vượt quá thìkhông thể ngắt nó bằng xung dòng ngược ở cổng Gate. Nếu trong quy trình vận hànhbộ đổi khác hiệu suất sử dụng GTO như linh kiện đóng ngắt, sự cố hoàn toàn có thể xảy ra ( ví1-26Điện tử hiệu suất 1 dụ như ngắn mạch ) gây nên hiện tượng kỳ lạ quá dòng, mạng lưới hệ thống bảo vệ phải được thiết kếđể phân biệt sự cố và ngắt GTO để bảo vệ linh kiện. Nếu như giá trò dòng qua GTOkhi sự cố xảy ra thấp hơn trò số dòng cực to thì hoàn toàn có thể ngắt GTO bằng xung dòngcổng âm điều khiển và tinh chỉnh với biên độ thích hợp. Nhưng nếu giá trò dòng sự cố vượt quá giátrò bảo vệ bằng xung dòng âm, cần sử dụng mạch “ bảo vệ kiểu đòn kích bẩy “ ( gồm khóacông suất mắc song song với linh kiện GTO ). Nguyên lý hoạt động giải trí của mạch đảm bảolà tạo ngắn mạch nguồn cấp điện cho GTO bằng cách kích đóng một SCR mắc songsong với linh kiện GTO. Dòng ngắn mạch làm chảy cầu chì và cắt linh kiện GTO khỏinguồn. Điều đó được minh họa trên H1. 29. Trong những năm cách đây không lâu, GTO biến thành linh kiện đóng ngắt đươc sử dụngrộng rãi cho những mạch hiệu suất lớn : một GTO loại “ nối tắt anode ” có giá trò đònhmức áp khoảng chừng 4500V và đònh mức dòng 6000A. Các giá trò tương ứng của loại GTOcho phép dẫn dòng ngược là 4500V và 3000A ( tập đoàn Mitsubishi 1998 ). Điện áp đặt trênGTO khi dẫn điện thường cao hơn SCR ( 2-3 V ). Tốc độ đóng ngắt từ vài µs đến 25 µs. Tần số đóng ngắt khoảng chừng 100H z đến 10 kHz. Linh kiện hiệu suất sẽ trở nên unique cao nếu cho độ sụt áp thấp khi dẫnđiện ( như thyristor ), nhu yếu mạch điều khiển và tinh chỉnh đơn thuần và năng lực ngắt dòng nhanh ( như IGBT ). bây giờ, 1 số ít linh kiện như vậy đã mở cửa trên thò trường vàù chúngcó năng lực sửa chữa thay thế dần GTO. Chúng hoàn toàn có thể xem là những dạng nâng cao đổi mới của GTO, chế tạo theo nguyên lý khối phối hợp ( Power Electronics Building Block – PEBB ) nhằmgiảm bớt những nhu yếu về mạch kích và làm tăng năng lực ngắt nhanh. Các linh kiệnnày gồm MTO ( MOS Turn-Off Thyristor ), ETO ( Emitter Turn-Off Thyristor ) và IGCT ( Integrated Gate-Commutated Thyristor ). Bảng B1. 7 : Các thông số căn bản của GTO FG1000BV-90DA ( tập đoàn Mitsubishi ) Thông số Độ lớn Ghi chúDRM4. 500V Điện áp khóa đỉnh lập lại tuần hoàn cực lớn ( Repetitive peak off statevoltae ) T ( AV ) 400A Dòng trung bình ( f = 60H z dạng sin, góc dẫn 180 di / dt max 1000A / sµTốc độ tăng dòng khi đóng cực đạiTQRM1000AGiá trò dòng thuận cực lớn mà linh kiện hoàn toàn có thể điều khiển ngắt được ( mạch bảo vệ C = 0,7 F, L = 0,3 H ). Linh kiện hoàn toàn có thể bò hỏng nếu như nóthực hiện kích ngắt dòng điện lớn hơn ITQRMRRM17V Điện áp ngược đỉnh cực lớn cho phépTMMax. 4V Điện áp thuận cực đại1-27Điện tử hiệu suất 1RRMM ax. 100 mA Dòng ngược cực lớn ( tương ứng ới VRRMDRMMax. 100 mA Dòng thuận cực lớn ở trạng thái khóa. gtMax. 10 sThời gian trễ khi đónggqMax. 20 sThời gian trễ khi ngắt. GQM300A Dòng kích ngắt qua cổng GGTMax. 1,5 V Điện áp cổng khi kích đóngGTMax. 2500 mADòng điện cổng khi kích đóng1. 9 IGCT ( INTEGRATED GATE COMMUTATED THYRISTOR ) Cấu tạo và chức năng : Sự cải thiện cải tiến công nghệ tiên tiến sản xuất GTO thyristor đã dẫn đến ý tưởng côngnghệ IGCT.GCT – Gate – Commutated Thyristor là một dạng tăng trưởng của GTO với khảnăng kéo xung dòng điện lớn bằng dòng đònh mức dẫn qua cathode về mạch cổngtrong 1 để bảo vệ ngắt nhanh dòng điện. Cấu trúc của GCT và mạch tươngđương của nó giống như của GTO.s µIGCT là linh kiện gồm GCT và có thêm 1 số ít phần tử tương hỗ, gồm có cảboard mạch điều khiển và tinh chỉnh và trọn vẹn có thể gồm cả diode ngược. Để kích đóng GCT, xung dòng điện được đưa vào cổng kích làm đóng GCTtương tự như tình huống GTO.Để kích ngắt GCT, mối nối pn base-emitter được phân cực ngược bằngcách cung cấp điện áp nguồn ngược chiều. Điều này làm triệt tiêu dòng điện quacathode vì hàng loạt dòng điện đi qua cathode sẽ được đẩy sang mạch cổng với vận tốcrất nhanh và biến GCT trở thành một transistor pnp. Để trọn vẹn có thể tạo dòng điện qua mạch cổng đẩy mạnh và đủ lớn, GCT ( IGCT ) được sản xuất đặc biệt cần thiết để giảm cảm kháng mạch cổng ( mạch vòng cổng tinh chỉnh và điều khiển – cathode ) đến giá trò nhỏ nhất. Vấn đề mấu chốt của GCT là tạo năng lực tăng nhanh dòng điện qua cổng. Điều này đạt được bằng ống dẫn điện đồng trục qua mạch cổng – cathode và côngnghệ mạch tinh chỉnh và điều khiển nhiều lớp ( multilayer ). Chúng được cho phép dòng cổng tăng vớitốc độ 4 kA / khi điện thế cổng – cathode ở mức 20V. trong tiến trình 1, transistor npn của GTO bò ngắt trọn vẹn và cực cổng của transistor pnp còn lại bòmở làm GCT bò ngắt. Do việc ngắt thực thi bằng xung dòng rất ngắn nên công suấttổn hao mạch cổng được giảm đến mức tối thiểu. Công suất tiêu thụ của GCT giảmđi khoảng chừng 5 lần so với trường hợp GTO.s µ sµLớp p phía anode được làm mỏng manh và làm giàu hạt mang điện chút ít để chophép khử những hạt mang điện phía anode nhanh hơn trong thời hạn ngắt. IGCT trọn vẹn rất trọn vẹn hoàn toàn hoàn toàn hoàn toàn rất rất hoàn toàn hoàn toàn hoàn toàn hoàn toàn rất rất rất có thểtích hợp diode ngược bằng mối nối np được vẽ bên phải của hình H1. 30. Diodengược thiết yếu trong cấu trúc của những bộ nghòch lưu áp. Quá trình ngắt dòng điện của GCT bởi chức năng xung dòng kích cổng đượcvẽ minh họa trên hình H1. 32. Để hoàn toàn có thể so sánh với quy trình ngắt dòng của GTO, đồthò của dòng cổng được vẽ cho hai trường hợp. Khả năng chòu tải1-28
Source: https://dichvubachkhoa.việt nam
Category : Linh Kiện Và Vật Tư
thông báo liên hệ
- Địa chỉ: Tòa nhà 7A, Lê Đức Thọ, Mai Dịch, Cầu Giấy, Hà Nội
- đường dây nóng: 0968.688.076 – 0769.159.159
- Email: [email protected]
- website: https://trumgiadung.việt nam
